近日，我院希达工程承接的英诺赛科（苏州）半导体有限公司研发楼EPC总承包项目——全球研发中心启用仪式在吴江汾湖隆重举行，电子院总建筑师刘书兴、希达工程董事长刘奕、副总经理刘玥受邀出席仪式。

英诺赛科（苏州）全球研发中心启用仪式

        英诺赛科（苏州）半导体有限公司研发楼项目是继苏州工厂项目后，我院希达工程与英诺赛科公司继续深入合作的又一EPC总承包项目。研发楼是集研发、办公、会议、培训、展览、接待、餐饮、交流、休憩等功能于一体的英诺赛科全球研发中心和基地，研发中心的启用是英诺赛科第三代半导体全球化的又一重大里程碑。 

        英诺赛科（苏州）研发楼EPC总承包项目自2021年11月26日正式开工，2023年11月20日全球研发中心正式启用。两年的建造过程中，希达人面对建筑造型独特、结构复杂、异型构件多等多重困难与挑战，继承和发扬敢想敢干、能打苦仗、能打硬仗的拼搏精神，用心超越期望，打造出让客户满意的精品工程，赢得客户的高度信赖和认可。

启用仪式上希达项目成员合影

        随着项目的成功交付和启用，希达工程将继续总结经验，提升队伍综合能力，不断开拓进取，创新突破，为电子院的高质量发展贡献希达智慧和力量。

        英诺赛科是全球领先的第三代半导体高新技术企业，致力于硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 的研发与制造。拥有全球最大规模的8英寸硅基氮化镓晶圆生产基地，当前产能15000片/月，产品设计及性能处于国际先进水平。英诺赛科提供从30V-700V的高、中、低压全功率氮化镓产品，涵盖晶圆、分立器件、合封芯片三大品类，并为客户提供全氮化镓方案设计参考。自2015年成立至今，英诺赛科已获专利700多项，累计出货量突破4亿颗。产品可广泛应用于消费电子、数据中心、汽车电子及新能源等前沿领域。

苏州英诺赛科（苏州）研发中心实景图