2014年5月9日，由我院世源科技工程有限公司承担设计的三星（中国）半导体有限公司在西安高新区举行了竣工投产仪式，标志着高端闪存芯片、世界上最先进的10纳米级NAND闪存芯片（V-NAND）正式量产。
　　国家工业和信息化部部长苗圩，国家发展和改革委员会副主任徐宪平，陕西省委书记、省长娄勤俭，韩国驻中国大使权宁世，三星电子代表理事权五铉等领导出席竣工典礼，我院院长胡萍应邀出席。
　　三星（中国）半导体有限公司是韩国三星集团有史以来最大的海外投资，投资额达70亿美元，生产10纳米级NAND闪存芯片（V-NAND）。我院世源科技公司完成了本项目从前期咨询到工程设计的全部工作，在整个项目建设过程中，我院派出了强有力的设计团队在现场为客户服务，针对全新的工厂建造模式，做了大量方案比对及优化设计工作，为工程建设交出了完美答卷，获得了高度评价。
　　三星高端闪存芯片项目的投产，使西安“数字丝绸之路”新起点建设大大提速，为西安开创国际化大都市建设新局面增添了浓重一笔，也为我院在西安乃至西北地区的稳步发展打下坚实的基础。
               
　　                                               胡院长看望现场设计团队